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1N6478-E3/75(PB)

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1N6478-E3/75(PB) 技術參數(shù)
  • 1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):51.6V 電壓 - 擊穿(最小值):54V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):107A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標準包裝:1 1N6476 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):51.6V 電壓 - 擊穿(最小值):54V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):107A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:G,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6475US 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):40.3V 電壓 - 擊穿(最小值):43.7V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):135A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標準包裝:1 1N6475 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):40.3V 電壓 - 擊穿(最小值):43.7V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):135A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:G,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6474US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):30.5V 電壓 - 擊穿(最小值):33V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):181A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標準包裝:1 1N6480-E3/96 1N6480-E3/97 1N6480HE3/96 1N6480HE3/97 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96 1N6482-E3/97 1N6482HE3/96 1N6482HE3/97 1N6483-E3/96 1N6483-E3/97 1N6483HE3/96 1N6483HE3/97 1N6484-E3/96
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