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1N8033

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N8033-GA
    1N8033-GA

    1N8033-GA

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 74536

  • GeneSiC Semiconductor

  • TO-276AA

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1N8033-GA
    1N8033-GA

    1N8033-GA

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • GENESIC S

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N8033 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 肖特基二極管與整流器 650V, 5A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
  • RoHS
  • 制造商
  • Skyworks Solutions, Inc.
  • 產品
  • Schottky Diodes
  • 峰值反向電壓
  • 2 V
  • 正向連續電流
  • 50 mA
  • 最大浪涌電流
  • 配置
  • Crossover Quad
  • 恢復時間
  • 正向電壓下降
  • 370 mV
  • 最大反向漏泄電流
  • 最大功率耗散
  • 75 mW
  • 工作溫度范圍
  • - 65 C to + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-143
  • 封裝
  • Reel
1N8033 技術參數
  • 1N8032-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 2.5A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:274pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8031-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:76pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8030-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):750mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.39V @ 750mA 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:76pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8028-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):9.4A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:884pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8026-GA 功能描述:DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):8A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 2.5A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:237pF @ 1V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8150 1N8150US 1N8151 1N8151US 1N8152 1N8152US 1N8153 1N8153US 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157 1N8157US 1N8158 1N8158US
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