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1N81

配單專家企業名單

型號
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說明
操作

1N816
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
仙童
DO35
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1N8147USE3/TR
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
84667
Microchip Technology
SQ-MELF, A
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1N8149
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
48232
Microchip / Microsemi
A-Package-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1N816
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
-
假一罰十，百分百原裝正品

1N816
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
GOLD BONDED DIODES

1N81 技術參數

1N8035-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:14.6A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:1107pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8034-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:9.4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.34V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:1107pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8033-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:4.3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.65V @ 5A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:274pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8032-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 2.5A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:274pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8031-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結:-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8151US 1N8152 1N8152US 1N8153 1N8153US 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157 1N8157US 1N8158 1N8158US 1N8159 1N8159US 1N8160