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1N825(二極管)

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1N825(二極管) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

1N825(二極管) 技術(shù)參數(shù)

1N825 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N825 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N824-E3 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5% 0.5W DO-35 制造商:microsemi corporation 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N824 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N823UR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N827A 1N827A (DO35) 1N827AUR 1N827AUR-1 1N827UR-1 1N828 1N829 1N829-1 1N829A 1N829A (DO35) 1N829AUR 1N829AUR-1 1N829UR-1 1N914 1N914_S00Z 1N914_T26A 1N914_T50A 1N914_T50R