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1N959T-73

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1N959T-73 技術(shù)參數(shù)

1N959BTR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N959BE3 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N959B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N959B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N959B TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N961B TR 1N961B_T50A 1N961BTR 1N962A 1N962B 1N962B BK 1N962B TR 1N962B_S00Z 1N962B_T50A 1N962B_T50R 1N962BTR 1N963A 1N963B 1N963B BK 1N963B TR 1N963B_T50A 1N963B_T50R 1N963BTR