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1N962D

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 500 mW Zener Diodes
1N962D 技術參數
  • 1N962BTR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N962B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N962B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N962B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW 5% DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N962B TR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):9.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N964B BK 1N964B TR 1N964B_T50A 1N964B_T50R 1N964BTR 1N965A 1N965B 1N965B BK 1N965B TR 1N965B_S00Z 1N965B_T50A 1N965B_T50R 1N965BE3 1N965BTR 1N966A 1N966B 1N966B TR 1N966B_S00Z
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