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1N963C

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 500 mW Zener Diodes
1N963C 技術參數
  • 1N963BTR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N963B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N963B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N963B TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N963B BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):11.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N965B BK 1N965B TR 1N965B_S00Z 1N965B_T50A 1N965B_T50R 1N965BE3 1N965BTR 1N966A 1N966B 1N966B TR 1N966B_S00Z 1N966B_T50A 1N966B_T50R 1N966BTR 1N967A 1N967B 1N967B BK 1N967B TR
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