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1N967C

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱(chēng)
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon 500 mW Zener Diodes

1N967C 技術(shù)參數(shù)

1N967BTR 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N967B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N967B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 13.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N967B_S62Z 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 5% DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 13.7V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N967B_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 5% DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:21 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 13.7V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N969B 1N969B BK 1N969B TR 1N969B_T50A 1N969B_T50R 1N969BTR 1N970A 1N970B 1N970B BK 1N970B TR 1N970B_T50A 1N970B_T50R 1N970BTR 1N971A 1N971B 1N971B BK 1N971B TR 1N971B_T50A