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1N972B BK

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功能描述
DIODE ZENER 30V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
30V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
49 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 22.8V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標準包裝
2,500

1N972B BK 技術(shù)參數(shù)

1N972B 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標準包裝:1 1N972A 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標準包裝:1 1N971BTR 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:41 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N971BE3 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:41 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 1N971B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:41 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N973B_T50R 1N973BTR 1N974A 1N974B 1N974B BK 1N974B_T50A 1N974B_T50R 1N975A 1N975B 1N975B BK 1N975B TR 1N975B_T50A 1N975B_T50R 1N976A 1N976B 1N976B_T50A 1N976B_T50R 1N977A