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1N978D

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 500 mW Zener Diodes
1N978D 技術(shù)參數(shù)
  • 1N978B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N978B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N978B TR 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N978B BK 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N978B 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N982B 1N983A 1N983B 1N984A 1N984B 1N985A 1N985B 1N986A 1N986B 1N986B-1E3 1N987A 1N987B 1N988A 1N988B 1N988BUR-1 1N989A 1N989B 1N990A
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