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1PMT4101D

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes
1PMT4101D 技術參數
  • 1PMT4101CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4101CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT4101C/TR7 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4101C/TR13 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT4101/TR7 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4102E3/TR7 1PMT4103/TR13 1PMT4103/TR7 1PMT4103C/TR13 1PMT4103C/TR7 1PMT4103CE3/TR13 1PMT4103CE3/TR7 1PMT4103E3/TR13 1PMT4103E3/TR7 1PMT4104/TR13 1PMT4104/TR7 1PMT4104C/TR13 1PMT4104C/TR7 1PMT4104CE3/TR13 1PMT4104CE3/TR7 1PMT4104E3/TR13 1PMT4104E3/TR7 1PMT4105/TR13
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