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1PMT4130D

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes

1PMT4130D 技術(shù)參數(shù)

1PMT4130CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 51.68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4130CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 51.68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT4130C/TR7 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 51.68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4130C/TR13 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 51.68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT4130/TR7 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 51.68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4131E3/TR7 1PMT4132/TR13 1PMT4132/TR7 1PMT4132C/TR13 1PMT4132C/TR7 1PMT4132CE3/TR13 1PMT4132CE3/TR7 1PMT4132E3/TR13 1PMT4132E3/TR7 1PMT4133/TR13 1PMT4133/TR7 1PMT4133C/TR13 1PMT4133C/TR7 1PMT4133CE3/TR13 1PMT4133CE3/TR7 1PMT4133E3/TR13 1PMT4133E3/TR7 1PMT4134/TR13