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1PMT48AT1G

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
1PMT48AT1G 技術參數
  • 1PMT48AT1 功能描述:TVS DIODE 48VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):48V 電壓 - 擊穿(最小值):53.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:77.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:1000W(1kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT4627E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4627E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT4627CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000 1PMT4627CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000 1PMT5914A/TR13 1PMT5914A/TR7 1PMT5914AE3/TR13 1PMT5914AE3/TR7 1PMT5914B/TR13 1PMT5914B/TR7 1PMT5914BE3/TR13 1PMT5914BE3/TR7 1PMT5914C/TR13 1PMT5914C/TR7 1PMT5914CE3/TR13 1PMT5914CE3/TR7 1PMT5914E3/TR13 1PMT5914E3/TR7 1PMT5915/TR13 1PMT5915/TR7 1PMT5915A/TR13 1PMT5915A/TR7
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