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1SR153-100H03

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1SR153-100H03 技術參數

1SR139-600T-32 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A MSR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-41 迷你型，軸向供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:2,500 1SR139-600T-31 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-41 迷你型，軸向供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:2,500 1SR139-400T-32 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A MSR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-41 迷你型，軸向供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:2,500 1SR139-400T-31 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-41 迷你型，軸向供應商器件封裝:MSR 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:2,500 1SR124-400AT-82 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:GSR 工作溫度 - 結:* 標準包裝:2,500 1SS02-08.0 1SS02-09.5 1SS02-12.0 1SS02-15.0 1SS02-22.5 1SS03-10.4 1SS04-11.0 1SS06-12.0 1SS08-08.0 1SS08-15.0 1SS09-09.5 1SS09-10.4 1SS09-15.0 1SS09-16.0 1SS09-19.0 1SS09-22.5 1SS133M R0G 1SS133T-72