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1SS252T-73

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1SS252T-73 技術參數

1SS250(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS244T-77 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 220V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AG，DO-34，軸向供應商器件封裝:MSD 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 1SS244T-72 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 220V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AG，DO-34，軸向供應商器件封裝:MSD 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 1SS226-TP 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 1SS226,LF 功能描述:PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 工作溫度 - 結:125°C（最大）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:3,000 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T) 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T