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1SV324(TPH3,F)

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  • 封裝
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  • 操作
  • 1SV324(TPH3,F)
    1SV324(TPH3,F)

    1SV324(TPH3,F)

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存儲器)

  • 變?nèi)荻O管

  • 24+

  • -
  • 原裝,公司部分現(xiàn)貨,有單來談QQ:161...

  • 1SV324(TPH3,F)
    1SV324(TPH3,F)

    1SV324(TPH3,F)

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 12000

  • TOSHIBA

  • -
  • 現(xiàn)貨庫存Q

  • 1SV324(TPH3,F)
    1SV324(TPH3,F)

    1SV324(TPH3,F)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • TOSHIBA

  • 2011

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
1SV324(TPH3,F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • Diode VAR Cap Single 10V 44pF 2-Pin USC T/R Cut Tape
1SV324(TPH3,F) 技術(shù)參數(shù)
  • 1SV323,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:7.1pF @ 4V,1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV322(TPH3,F) 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:7.1pF @ 4V,1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV315-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向(最大值):50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:0.23pF @ 50V,1MHz 不同?If,F(xiàn) 時的電阻:9 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):100mW 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SV314(TPL3,F) 功能描述:DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:3.4pF @ 2.5V,1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C0.5/C2.5 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時的 Q 值:- 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 1SV311(TPH3,F) 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:5.45pF @ 4V,1MHz 電容比:2.1 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG 1SX250LN2F43I1VG 1SX250LN2F43I2LG 1SX250LN2F43I2VG 1SX250LN3F43E1VG 1SX250LN3F43E2LG 1SX250LN3F43E2VG 1SX250LN3F43E3VG
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