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1SW17-R8

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1SW17-R8 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

1SW17-R8 技術(shù)參數(shù)

1SV325,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:12pF @ 4V，1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV324TPH3F 功能描述:DIODE TCXO/VCO 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:12pF @ 4V，1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV323,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:7.1pF @ 4V，1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV322(TPH3,F) 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:7.1pF @ 4V，1MHz 電容比:4.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時(shí)的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:USC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SV315-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對(duì)串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻:9 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG 1SX250LN2F43I1VG 1SX250LN2F43I2LG 1SX250LN2F43I2VG 1SX250LN3F43E1VG 1SX250LN3F43E2LG 1SX250LN3F43E2VG 1SX250LN3F43E3VG 1SX250LN3F43I1VG 1SX250LN3F43I2LG