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2N1225J

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制造商
MILITARY SPECIFICATIONS P
功能描述

2N1225J 技術參數

2N1131B 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N1131A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 150mA，10V 頻率 - 躍遷:90MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N1131 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N1016D 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N1016C 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N1613 2N1613A 2N1613L 2N1700 2N1701 2N1702 2N1711 2N1711S 2N1717 2N1717S 2N1792 2N1793 2N1794 2N1795 2N1796 2N1797 2N1798 2N1799