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2N2222AUB_02

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制造商
SEMICOA
制造商全稱
SEMICOA
功能描述
Silicon NPN Transistor

2N2222AUB_02 技術參數

2N2222AUB 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N2222AUATXV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（5.59x3.81）標準包裝:1 2N2222AUATX 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（5.59x3.81）標準包裝:1 2N2222AUA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A 4PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD 供應商器件封裝:4-SMD 標準包裝:1 2N2222AL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N2323S 2N2323U4 2N2324 2N2324A 2N2324AS 2N2324AU4 2N2324S 2N2324U4 2N2325 2N2325A 2N2325AS 2N2325AU4 2N2325S 2N2325U4 2N2326 2N2326A 2N2326AS 2N2326AU4