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2N2222AW

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON
2N2222AW 技術參數
  • 2N2222AUBTXV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 15mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（3.05x2.415） 標準包裝:1 2N2222AUBTX 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 15mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（3.05x2.415） 標準包裝:1 2N2222AUB 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N2222AUATXV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（5.59x3.81） 標準包裝:1 2N2222AUATX 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 1mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-CLCC 供應商器件封裝:4-CLCC（5.59x3.81） 標準包裝:1 2N2324 2N2324A 2N2324AS 2N2324AU4 2N2324S 2N2324U4 2N2325 2N2325A 2N2325AS 2N2325AU4 2N2325S 2N2325U4 2N2326 2N2326A 2N2326AS 2N2326AU4 2N2326S 2N2326U4
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