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2N2369N

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2N2369N 技術(shù)參數(shù)

2N2369AUB 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:表面安裝供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369AUA 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:表面安裝供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369AU 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:表面安裝供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369A 功能描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，350mV 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N2369 功能描述:NPN MED PWR HS TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 基本零件編號(hào):2N2369 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N2484UA 2N2484UB 2N2604 2N2605 2N2605UB 2N2639 2N2640 2N2641 2N2642 2N2643 2N2644 2N2652 2N2652A 2N2720 2N2721 2N2722 2N2811 2N2812