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2N3055-BP

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2N3055-BP 技術參數
  • 2N3055AG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 7A,15A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 4A,2V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:6MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):70V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3053A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3053 功能描述:TRANS NPN 40V 0.7A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A 2N336ALT2 2N336AT2
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