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2N3440119

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
2N3440119 技術參數
  • 2N3440 功能描述:TRANS NPN 250V TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):20μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3439UA 功能描述:TRANS NPN 350V 1A UA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2N3439U4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3439L 功能描述:TRANS NPN 350V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA,TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3439 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:15MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3485A 2N3486 2N3486A 2N3498 2N3498L 2N3499 2N3499L 2N3500 2N3500L 2N3501 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4
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