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2N3440SE4

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2N3440SE4 技術參數
  • 2N3440L 功能描述:TRANS NPN 250V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3440 功能描述:TRANS NPN 250V TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3439UA 功能描述:TRANS NPN 350V 1A UA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，無引線 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2N3439U4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3439L 功能描述:TRANS NPN 350V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3486 2N3486A 2N3498 2N3498L 2N3499 2N3499L 2N3500 2N3500L 2N3501 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4 2N3507L
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