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2N3485G4

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2N3485G4 技術參數
  • 2N3485A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-46（TO-206AB） 標準包裝:1 2N3469 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3468L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3468 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3467L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4 2N3507L 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L
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