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2N3501CSM4

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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
2N3501CSM4 技術參數
  • 2N3501 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3500L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3500 功能描述:TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 2N3499L 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA,TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3499 功能描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700
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