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2N3584JANTX

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 250V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66

2N3584JANTX 技術參數

2N3584 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N3583 功能描述:TRANS NPN 175V 1A TO-66 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 125mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:35W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-213AA，TO-66-2 供應商器件封裝:TO-66 標準包裝:30 2N3507U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N3507L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z