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2N3637L

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    2N3637L

    2N3637L

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-205AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT PNP 140V 1A 3PIN TO-5 - Bulk
2N3637L 技術參數
  • 2N3637 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3636UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N3636L 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA,TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3636 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3635UB 功能描述:TRANS PNP 140V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:3-SMD 標準包裝:1 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715 2N3716 2N3724 2N3724L 2N3724UB 2N3725 2N3725L 2N3725UB 2N3726
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