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2N3790SMD

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制造商
SEME-LAB
制造商全稱
Seme LAB
功能描述
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

2N3790SMD 技術參數

2N3778 功能描述:TRANS PNP TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3773G 功能描述:TRANS NPN 140V 16A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 8A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3773 功能描述:TRANS NPN 140V 16A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 3.2A，16A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 8A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3772G 功能描述:TRANS NPN 60V 20A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 4A，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 10A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:200kHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3772 功能描述:TRANS NPN 60V 20A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 4A，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 10A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:200kHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3810U 2N3811 2N3811A 2N3811L 2N3811U 2N3819 2N3819 PBFREE 2N3819_D27Z 2N3819_D74Z 2N3820 2N3820_D26Z 2N3821 2N3822 2N3823 2N3838 2N3859A 2N3859A_D75Z 2N3866