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2N3790XSMD

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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed
2N3790XSMD 技術參數
  • 2N3778 功能描述:TRANS PNP TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AA,TO-5-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-5 標準包裝:1 2N3773G 功能描述:TRANS NPN 140V 16A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.4V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 8A,4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3773 功能描述:TRANS NPN 140V 16A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 3.2A,16A 電流 - 集電極截止(最大值):10mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 8A,4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3772G 功能描述:TRANS NPN 60V 20A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 4A,20A 電流 - 集電極截止(最大值):10mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 10A,4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:200kHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3772 功能描述:TRANS NPN 60V 20A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 4A,20A 電流 - 集電極截止(最大值):10mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 10A,4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:200kHz 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N3810U 2N3811 2N3811A 2N3811L 2N3811U 2N3819 2N3819 PBFREE 2N3819_D27Z 2N3819_D74Z 2N3820 2N3820_D26Z 2N3821 2N3822 2N3823 2N3838 2N3859A 2N3859A_D75Z 2N3866
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