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2N3830

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  • 2N3830
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    2N3830

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9331

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  • 2N3830
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 制造商
  • CENTRAL
  • 制造商全稱(chēng)
  • Central Semiconductor Corp
  • 功能描述
  • Small Signal Transistors
2N3830 技術(shù)參數(shù)
  • 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:* 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:8V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:* 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:6V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:300μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:8V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:32pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:300mA @ 10V 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:8V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N3879 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z
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