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2N3876

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  • NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
2N3876 技術參數
  • 2N3868S 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3868 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3867S 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3867 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3866A 功能描述:RF Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 1W Through Hole TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:400MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z 2N3904-AP 2N3904BU 2N3904CBU 2N3904CTA 2N3904G 2N3904NLBU 2N3904PH 2N3904RL1
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