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2N4867(A)

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • MOT

  • 標準封裝

  • 13+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2N4867(A)
    2N4867(A)

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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2N4867(A) 技術參數
  • 2N4865 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4864 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4861JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4861JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4861JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G 2N4919 2N4919G 2N4920G 2N4921 2N4921G 2N4922G 2N4923 2N4923G 2N4930 2N4931 2N4937
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