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2N5115JANTX

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型號
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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N5115JANTX
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
22
MSC
2007/2008
-
公司現貨,只做原裝！

2N5115JANTX
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
SOD
標準封裝
07/08+
-

2N5115JANTX
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
SOD
NULL
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

2N5115JANTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
22
MSC
2007/2008
-
公司現貨,只做原裝！

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02

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制造商
VISHAY
制造商全稱
Vishay Siliconix
功能描述
P-Channel JFETs

2N5115JANTX 技術參數

2N5115JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5115-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:200 2N5115 功能描述:P CHANNEL JFET 制造商:microsemi corporation 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:60mA @ 15V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:100 Ohms 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N5114UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 90mA @ 18V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:90mA @ 18V 漏極電流（Id） - 最大值:* 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:75 歐姆功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N5114JTXV02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G