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2N5116JTXL02

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制造商
Vishay Siliconix
功能描述
19500/476 JANTX2N5116 W/SLDR DIP

2N5116JTXL02 技術(shù)參數(shù)

2N5116JTX02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5116JTVL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5116JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N5116-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N5116 功能描述:JFET P-CH 30V 0.5W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:150 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:500mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G 2N5195 2N5195 SL H