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2N5151-220M-JQR

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2N5151-220M-JQR 技術參數
  • 2N5151 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N5116UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 25mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27pF @ 15V 電阻 - RDS(開):175 歐姆 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N5116JTXV02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5116JTXL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5116JTX02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G 2N5195 2N5195 SL H 2N5195G 2N5204 2N5209
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