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2N5396

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2N5396
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
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電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
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2N5396 技術參數

2N5385 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5384 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5375 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,000 2N5367 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5366_D75Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5400RLRPG 2N5401 2N5401,116 2N5401,412 2N5401_D10Z 2N5401_D28Z 2N5401_D81Z 2N5401_J05Z 2N5401_J61Z 2N5401_S00Z 2N5401-AP 2N5401BU 2N5401CTA 2N5401CYTA 2N5401G 2N5401NLBU 2N5401RL1 2N5401RL1G