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2N5416G

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2N5416G 技術(shù)參數(shù)

2N5416 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:15MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N5415UA 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5415S 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5415 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N5401ZL1G 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5433-E3 2N5434 2N5457 2N5457_D26Z 2N5457_D27Z 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460