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2N5434-E3

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功能描述
JFET 25V 10pA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5434-E3 技術參數

2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 0V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AC，TO-52-3，金屬罐供應商器件封裝:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 0V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AC，TO-52-3，金屬罐供應商器件封裝:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 0V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AC，TO-52-3，金屬罐供應商器件封裝:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:150mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 0V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AC，TO-52-3，金屬罐供應商器件封裝:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA