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2N5457/D10Z-5

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2N5457/D10Z-5 技術參數
  • 2N5457 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG
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