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2N5460 功能描述:JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:2,500 2N5459_D75Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5459_D74Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5459_D27Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5459 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標準包裝:2,000 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z 2N5484_D74Z 2N5485 2N5485_D26Z 2N5485_D27Z 2N5485_D74Z 2N5485_D75Z 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z