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2N5962_Q

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5962_Q 技術參數
  • 2N5962_D74Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):600 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5962_D26Z 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):600 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5962 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):600 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N5961_D27Z 功能描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5961 功能描述:TRANS NPN 60V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N6028RLRA 2N6028RLRAG 2N6028RLRMG 2N6028RLRP 2N6028RLRPG 2N6034 2N6034G 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042
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