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2N6036G0

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2N6036G0 技術參數
  • 2N6036G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6036 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6035G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6034G 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6034 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG
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