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2N6045WD

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2N6045WD 技術參數
  • 2N6045G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 3A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6045 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 3A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6043G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 16mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6043 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 16mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6042G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 12mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 3A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111
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