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2N7000 AMO

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功能描述
MOSFET TRENCH 31V-99V G2
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N7000 AMO 技術參數

2N7000 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N6990 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:4 NPN（四路）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-扁平封裝供應商器件封裝:14-扁平封裝標準包裝:1 2N699 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N6989UTX 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:4 NPN（四路）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:20-CLCC 供應商器件封裝:20-CLCC 標準包裝:1 2N6989U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG 2N7000RLRPG 2N7000TA 2N7002 2N7002 BK 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7