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2N7000-D74Z

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7000-D74Z
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
42578
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
NA
17+
-
可訂貨，請確認

2N7000-D74Z
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

2N7000-D74Z
深圳市高創鑫電子科技有限公司
深圳市高創鑫電子科技有限公司
聯系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質：營業執照
40000
Onsemi
TO-92-3 LF
23+
-
原裝正品現貨，假1罰100

2N7000-D74Z
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
2000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
50pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-92-3
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）
基本零件編號
2N7000
標準包裝
1

2N7000-D74Z 技術參數

2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000BU_T 2N7000BU 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000_D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7002 BK 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315