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2N7000CSM_06

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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000CSM_06 技術參數
  • 2N7000BU_T 2N7000BU 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000_D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000_D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000TA 2N7002 2N7002 BK 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215
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