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2N7000LT1

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操作

2N7000LT1
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8900
ON
SOT23
11+
-
絕對公司原裝現貨

2N7000LT1G
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
3000
ON
SOT-23
假一賠十！
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2N7000LT1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N7000LT1 技術參數

2N7000-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115