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2N7002BKS.115

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2N7002BKS.115 技術參數
  • 2N7002BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):300mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:295mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 2N7002BKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):450mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 450mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 2N7002BKM,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):450mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 2N7002BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):370mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 115mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2N7002DW L6327 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13
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