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2SA1721-R(TE85L,F)

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2SA1721-R(TE85L,F) 技術參數
  • 2SA1721OTE85LF 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1709T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1709S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1708T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:2,500 2SA1708S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 40mA,400mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:3-NMP 標準包裝:1 2SA1748GRL 2SA1759T100P 2SA1761,F(J 2SA1761,T6F(J 2SA1761,T6F(M 2SA17670QA 2SA1768S-AN 2SA1768T-AN 2SA1770S-AN 2SA1770T-AN 2SA1774EBTLP 2SA1774EBTLQ 2SA1774EBTLR 2SA1774EBTLS 2SA1774G 2SA1774T1 2SA1774T1G 2SA1774TLQ
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